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邱凯

作品数：18 被引量：17H指数：2
供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

领域

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主题

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传媒

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地区

  • 18个安徽省
  • 12个江苏省
共 30 条 记 录，以下是 1-10
尹志军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 GAAS 二维电子气 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构：南京大学
研究主题：蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈建炉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王向武
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：硅 硅外延 异质结 自掺杂 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方小华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：分子束外延 异质结 MBE生长 英文 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓娟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MBE生长 分子束外延 二维电子气 MM-HEMT材料 INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
方晓华
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MBE 分子束外延 二维电子气 调制掺杂 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋朝辉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：MBE 分子束外延 二维电子气 调制掺杂 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈家荣
供职机构：中国科学院固体物理研究所
研究主题：表面形貌 沉积速率 PECVD 氮化硅 等离子体增强化学气相沉积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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