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任永一

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：机电部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 3个电子电信

主题

  • 3个砷化镓
  • 3个碳掺杂
  • 3个晶格
  • 3个晶格失配
  • 2个淀积
  • 2个对激发
  • 2个深能级
  • 2个能级
  • 2个汽相沉积
  • 2个汽相外延
  • 2个汽相外延生长
  • 2个外延层
  • 2个近红外
  • 2个化学汽相沉积
  • 2个化学汽相淀积
  • 2个光谱
  • 2个光致
  • 2个光致发光
  • 2个红外
  • 2个红外光

机构

  • 3个机电部
  • 2个河北半导体研...
  • 2个中国电子科技...
  • 1个北京大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个电子工业部

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 1个军事电子预研...

传媒

  • 3个半导体情报
  • 2个Journa...
  • 2个光学学报
  • 2个稀有金属
  • 2个第四届全国固...
  • 1个科学通报
  • 1个发光学报
  • 1个固体电子学研...
  • 1个第十二届全国...

地区

  • 2个河北省
共 3 条 记 录，以下是 1-3
关兴国
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：外延层 MOCVD生长 砷化镓 氮化物半导体 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李景
供职机构：机电部
研究主题：MOCVD生长 晶格失配 碳掺杂 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章其麟
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 砷化镓 外延层 光致发光 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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