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张硕

作品数：12 被引量：12H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 16 条 记 录，以下是 1-10
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伊晓燕
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 氮化镓 多量子阱 衬底 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段瑞飞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氢化物气相外延 衬底 厚膜 GAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 多量子阱 衬底 电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
梁萌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 发光二极管 石墨烯 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵丽霞
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 可见光通信 调制带宽 表面等离激元 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
路红喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：电子阻挡层 氮化镓 多量子阱 量子阱结构 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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