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魏莹
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28
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H指数:2
供职机构:
中国科学院新疆理化技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
中国科学院西部之光基金
新疆维吾尔自治区自然科学基金
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相关领域:
电子电信
理学
自动化与计算机技术
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合作作者
郭旗
中国科学院新疆理化技术研究所
崔江维
中国科学院新疆理化技术研究所
郑齐文
中国科学院新疆理化技术研究所
余学峰
中国科学院新疆理化技术研究所
李豫东
中国科学院新疆理化技术研究所
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郭旗
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 剂量率 总剂量效应 总剂量 退火
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崔江维
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 总剂量辐射 总剂量辐照 总剂量 总剂量辐射效应
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郑齐文
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 总剂量辐射 总剂量辐照 绝缘体上硅 总剂量
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余学峰
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 退火 总剂量辐射 总剂量辐照 剂量率
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李豫东
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 CMOS图像传感器 电荷耦合器件 总剂量辐射 剂量率
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孙静
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:辐照 总剂量效应 总剂量 剂量计 电荷分离
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陆妩
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
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李小龙
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 总剂量辐射 总剂量 模拟电路 总剂量辐照
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周航
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:总剂量效应 静态随机存储器 热载流子 绝缘体上硅 电离辐射
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苏丹丹
供职机构:中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题:热载流子 负偏压温度不稳定性 总剂量效应 总剂量辐射 NMOSFET
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