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翁建华

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:中国科学院重点实验室基金国家自然科学基金更多>>
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领域

  • 7个电子电信
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主题

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  • 5个背栅
  • 5个背栅效应
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  • 5个MESFET...
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  • 4个功率放大
  • 4个功率放大器
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  • 3个单片集成电路
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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 6个上海市
  • 1个浙江省
7 条 记 录,以下是 1-7
夏冠群
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李洪芹
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 晶体管 SIN PHEMT GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵建龙
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:微流控芯片 芯片 微管道 基因芯片 液滴
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘汝萍
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:砷化镓 MESFET 阈值电压均匀性 背栅效应 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程知群
供职机构:杭州电子科技大学
研究主题:DOHERTY功率放大器 金纳米棒 宽带 功率放大器 功率放大
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张美圣
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:MESFETS MESFET GAAS_HBT ALGAINP 背栅效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝幼申
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:共平面波导 单刀双掷开关 微机械开关 微电子机械 平面波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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