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彭宏论

作品数：23 被引量：102H指数：7
供职机构：西北核技术研究所更多>>
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地区

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  • 2个上海市
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何宝平
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：总剂量效应 总剂量 辐照 MOS器件 CMOS器件
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姚育娟
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：MOS器件 总剂量效应 半导体器件 辐照效应 大规模集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张正选
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射效应 MOS器件 绝缘体上硅 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林东生
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：剂量率 闩锁 中子 CMOS电路 BIMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
姜景和
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：质子 MOS器件 剂量率 单粒子效应 退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨海帆
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：Γ剂量率 双极晶体管 DPF 辐照效应 能谱测量
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王桂珍
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：剂量率 SRAM 中子辐照 CMOS电路 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周辉
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：电磁脉冲 X射线 电缆 数值模拟 HEMP
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭红霞
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：单粒子效应 总剂量效应 单粒子 单粒子翻转 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗尹虹
供职机构：西北核技术研究所
研究主题：单粒子效应 单粒子 单粒子翻转 总剂量效应 CMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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