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常虎东
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中国科学院微电子研究所
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合作作者
刘洪刚
桂林电子科技大学
孙兵
中国科学院微电子研究所
王盛凯
桂林电子科技大学
赵威
中国科学院微电子研究所
金智
中国科学院微电子研究所
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刘洪刚
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:沟道 迁移率 衬底 半导体器件 硅基
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孙兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:迁移率 沟道 锗 硅基 衬底
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王盛凯
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:微波等离子体 衬底 含氧气体 键合 锗
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赵威
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:锗 氧化锗 纳米线结构 氧化物 阻挡层
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供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:石墨烯 金属 场效应晶体管 电极 光刻胶
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薛百清
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:衬底 锗 III-V族 二维光子晶体 硅基
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卢力
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:势垒 III-V族半导体 氧化锗 锗 沟道
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王虹
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:III-V族 衬底 III-V族半导体 氧化锗 锗
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刘新宇
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化镓 刻蚀 欧姆接触 ALGAN/GAN 衬底
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刘桂明
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:模型参数 III-V族 锗 N型半导体 半导体器件
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