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唐昭焕

作品数：78 被引量：40H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
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共 79 条 记 录，以下是 1-10
谭开洲
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 VDMOS SIGE 半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘勇
供职机构：电子科技大学
研究主题：W波段 深槽 氮化镓 半导体 毫米波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡刚毅
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：电路 模数转换器 采样开关 比较器 跨导放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王健安
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：比较器 模数转换器 采样开关 跨导放大器 单位增益带宽
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王斌
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：VDMOS器件 VDMOS 半导体工艺 抗辐射加固 牺牲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张静
供职机构：中国电子科技集团
研究主题：SIGE_HBT SIGE 异质结双极晶体管 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钟怡
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 绝缘层 深槽 半导体器件 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔伟
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：半导体 深槽 漂移区 场效应 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘嵘侃
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：SIGE_HBT 半导体器件 烘培 自对准 封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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