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陈长勇

作品数：14 被引量：86H指数：5
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
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共 21 条 记 录，以下是 1-10
陈维德
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：光致发光 GAN 掺铒 GAN薄膜 铒
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许振嘉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅化物 砷化镓 欧姆接触 光致发光 INP
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王永谦
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微结构 H A-SI 光致发光 X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋淑芳
供职机构：北京交通大学
研究主题：纳米ZNO薄膜 GAN薄膜 光致发光 GAN 掺铒
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刁宏伟
供职机构：中国科学院电工研究所
研究主题：太阳电池 硅 异质结太阳电池 非晶硅 A-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张世斌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：微结构 非晶硅薄膜 NC-SI A-SI 硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖显伯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：太阳电池 非晶硅 H A-SI 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孔光临
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：A-SI H 微结构 非晶硅 太阳电池
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王万录
供职机构：重庆大学数理学院
研究主题：碳纳米管 金刚石膜 CVD 金刚石 金刚石薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
廖克俊
供职机构：重庆大学
研究主题：金刚石膜 碳纳米管 CVD 金刚石薄膜 金刚石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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