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白玉柯

作品数：3 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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合作作者

领域

  • 7个电子电信
  • 4个理学
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  • 1个机械工程
  • 1个环境科学与工...
  • 1个文化科学

主题

  • 7个亚表面损伤层
  • 7个砷化镓
  • 7个损伤层
  • 7个抛光
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  • 6个射线
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机构

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资助

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  • 1个国家重点基础...
  • 1个北京市科技计...

传媒

  • 7个Journa...
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  • 6个固体电子学研...
  • 5个首届中国功能...
  • 4个功能材料与器...
  • 4个第八届全国固...
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  • 1个人工晶体学报
  • 1个第十二届全国...
  • 1个第十三届全国...

地区

  • 7个北京市
共 7 条 记 录，以下是 1-7
郑红军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尹玉华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：GAAS 亚表面损伤层 抛光晶片 抛光 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
惠峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 抛光晶片 GAAS SI-GAAS 晶片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曹福年
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SI-GAAS 砷化镓 亚表面损伤层 GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴让元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 SI-GAAS GAAS 化学机械抛光 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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