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作品数：19 被引量：11H指数：3
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地区

  • 29个上海市
  • 1个北京市
共 30 条 记 录，以下是 1-10
沈学础
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：砷化镓 光谱研究 半导体 GAAS 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵军
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外光谱仪 斩波器 光致发光 光调制 宽波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
穆耀明
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束 半导体 电子能态 测量控制系统 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆卫
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：红外探测器 量子阱红外探测器 膜系 碲镉汞 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘兴权
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：砷化镓 ALGAAS GAAS 分子束外延 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万明芳
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：纳米硅 纳米硅薄膜 分子束外延 砷化镓 表面形貌
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严立平
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：测量控制系统 SUB 分子束外延 分子束 静电计
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效双
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：膜系 红外探测器 碲镉汞 量子阱红外探测器 探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔怡敏
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所
研究主题：分子束外延 碲镉汞 HG HGCDTE HGCDTE分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鑫
供职机构：上海大学理学院物理系
研究主题：GASB 扫描隧道显微镜 铋 半导体 分子束外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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