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李开成

作品数:7 被引量:5H指数:1
供职机构:信息产业部更多>>
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领域

  • 12个电子电信
  • 4个自动化与计算...
  • 3个理学
  • 1个机械工程
  • 1个电气工程
  • 1个核科学技术

主题

  • 11个分子束
  • 11个分子束外延
  • 9个锗硅
  • 8个锗硅材料
  • 8个双极晶体管
  • 8个晶体管
  • 8个硅材料
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  • 3个低噪声放大器

机构

  • 7个信息产业部
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  • 4个中国电子科技...
  • 3个电子科技大学
  • 2个中国电子科技...
  • 2个中国电子科技...
  • 1个重庆大学
  • 1个中电集团
  • 1个中华人民共和...
  • 1个重庆中科渝芯...

资助

  • 6个国家重点实验...
  • 4个国防科技技术...
  • 4个国家自然科学...
  • 4个模拟集成电路...
  • 3个国防科技重点...
  • 3个国家教育部博...
  • 2个国家重点基础...
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  • 1个北京市教委资...
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传媒

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  • 3个物理学报
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  • 2个电子器件
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  • 2个半导体光电
  • 2个微纳电子技术
  • 2个第十七届全国...
  • 2个第十四届全国...
  • 2个第十一届全国...

地区

  • 5个陕西省
  • 3个四川省
  • 3个重庆市
  • 1个江苏省
12 条 记 录,以下是 1-10
张静
供职机构:中国电子科技集团
研究主题:SIGE_HBT 异质结双极晶体管 SIGE 半导体 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘道广
供职机构:信息产业部
研究主题:超高速 分子束外延 发射极 自对准 全离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
易强
供职机构:信息产业部
研究主题:分子束外延 材料特性 MBE生长 SIGE材料 SIGE_HBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
凡则锐
供职机构:信息产业部
研究主题:材料特性 MBE生长 SIGE材料 SIGE_HBT SIGE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王洪平
供职机构:信息产业部
研究主题:超高速 发射极 自对准 全离子注入 POLY-SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李竞春
供职机构:电子科技大学
研究主题:SIGE MOS器件 CMOS 锗硅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨谟华
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
研究主题:电流崩塌 表面态 CMOS SIGE GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐婉静
供职机构:信息产业部
研究主题:掺杂 MBE技术 分子束外延 集成电路 快速热退火
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘嵘侃
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:SIGE_HBT 半导体器件 烘培 自对准 封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何林
供职机构:中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题:复合结构 开关电源技术 同步整流 数字控制 软开关
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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