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朱阳军

作品数：125 被引量：19H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 28个北京市
共 28 条 记 录，以下是 1-10
卢烁今
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 IGBT器件 闩锁 漂移 导电类型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
田晓丽
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：碳化硅 IGBT器件 绝缘栅双极晶体管 衬底 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴振兴
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：击穿电压 绝缘栅双极晶体管 闩锁 衬底 场限环
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆江
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：功率器件 绝缘栅双极晶体管 集成电路 栅氧化层 静电保护
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵佳
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 绝缘栅双极晶体管 元胞 闩锁 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙宝刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：绝缘栅双极晶体管 闩锁 IGBT器件 槽栅 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
左小珍
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：元胞 绝缘栅双极晶体管 槽栅 IGBT 版图
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：淀积 衬底 场板 IGBT器件 IGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张文亮
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：IGBT 集电极 掺杂 集电区 发射极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡爱斌
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：淀积 衬底 锗 固定电荷 半导体功率器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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