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赵玲莉

作品数:9 被引量:29H指数:3
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叶甜春
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胥兴才
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 LPCVD 掩模 氮化硅 光刻技术
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢常青
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:电子束光刻 X射线光刻 敏感膜 存储器 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈大鹏
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
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李兵
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 掩模 干法刻蚀 深亚微米 X射线
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孙宝银
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:氮化硅薄膜 LPCVD X射线光刻 氮化硅 可见光发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石万全
供职机构:中国科学院研究生院
研究主题:硅 离子注入 氮化硅 LPCVD 氮化硅薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈梦真
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:X射线光刻 光刻 掩模 光刻胶 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘渝珍
供职机构:中国科学院研究生院
研究主题:光致发光 快速退火 LPCVD RTA 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩敬东
供职机构:中国科学院
研究主题:X射线光刻 LPCVD 氮化硅 掩模 氮化硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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