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段焕涛

作品数：6 被引量：20H指数：3
供职机构：西安电子科技大学更多>>
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合作作者

领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

  • 10个陕西省
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  • 1个江苏省
  • 1个山东省
共 14 条 记 录，以下是 1-10
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
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倪金玉
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAN ALGAN/GAN GAN薄膜 SI基 二维电子气
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张金凤
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN GAN 高电子迁移率晶体管 二维电子气 HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进成
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SUB 成核 势垒层 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张进城
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：ALGAN/GAN 高电子迁移率晶体管 ALGAN/GAN_HEMT GAN 淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
董作典
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：HEMT器件 A1GAN/GAN 成核 ALGAN/GAN GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
倪金玉
供职机构：教育部
研究主题：MOCVD 半导体薄膜 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡仕刚
供职机构：湖南科技大学信息与电气工程学院
研究主题：教学 MOS器件 栅氧化层 CMOS MOSFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许晟瑞
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 非极性 衬底 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李志明
供职机构：济南大学信息科学与工程学院
研究主题：MOCVD 温度场 氮化物 非极性 均匀性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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