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郁元桓

作品数：14 被引量：18H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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共 21 条 记 录，以下是 1-10
王启元
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅衬底 氧化铝薄膜 MOCVD 热退火 氧化铝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓惠芳
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：热退火 硅 AL SOI 掺锑
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡田海
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：硅 单晶硅 氢 辐照缺陷 中子辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王建华
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：热退火 氧化铝 硅 硅衬底 MOCVD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体激光器 衬底 硅衬底 电极接触 波导
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭利文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：SOI材料 MOCVD AL SOI SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
昝育德
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：AL 掺锑 氧沉淀 硅 硅衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘忠立
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI FPGA 集成电路 SIMOX 现场可编程门阵列
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩秀峰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：掺锑 氧沉淀 硅衬底 热退火 RAMPING
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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