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杨保华

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李成基
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 砷化镓 电阻率 光子扫描隧道显微镜 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶式中
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体材料 浮渣 固体物料 单晶炉 晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
万寿科
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光致发光 X 砷化镓 GASB SI-GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉田
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 X射线双晶衍射 GAN MOCVD 超晶格
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龚秀英
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:LPE GASB XGA 晶格匹配 Y
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何宏家
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 GAAS SI-GAAS 半绝缘 GAAS单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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