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张砚华

作品数:23 被引量:3H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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领域

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地区

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18 条 记 录,以下是 1-10
卢励吾
供职机构:北京大学物理学院
研究主题:深能级 分子束外延生长 能级 硅 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
葛惟昆
供职机构:清华大学理学院物理系
研究主题:能级 外加磁场 测量方法 深能级瞬态谱 诺贝尔物理学奖
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范缇文
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:砷化镓 分子束外延 X GAAS SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐寿定
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:电学性质 SI-GAAS单晶 SI-GAAS 砷化镓 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋波
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:半导体测试 半导体材料 微结构 自动测试系统 瞬态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈延杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAAS材料 热退火 深中心 砷化镓 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐遵图
供职机构:北京工业大学
研究主题:激光器 应变量子阱激光器 量子阱激光器 半导体激光器 ALGAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈涌海
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 衬底 协变 光学 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴巨
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 分子束外延 砷化镓 MBE 半绝缘
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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