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刘喆

作品数：62 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 衬底 氮化镓 多量子阱 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫建昌
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：紫外发光二极管 发光二极管 电子阻挡层 ALGAN 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张宁
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 多量子阱 LED外延片 LED 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴奎
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 二氧化硅 蓝宝石 刻蚀 纳米
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘乃鑫
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 氮化物 金属有机物化学气相淀积 MOCVD 发光二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 电子阻挡层 成核 氢化物气相外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张逸韵
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：发光二极管 蓝宝石 多量子阱 二氧化硅 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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