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罗小晨

作品数：15 被引量：7H指数：2
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地区

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共 10 条 记 录，以下是 1-10
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体 氧化锌薄膜 SUB 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李勇滔
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 等离子体 SUB 射频电源 离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李超波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 氧化锌薄膜 离子注入 等离子体 共掺
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪明刚
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子体 等离子体浸没离子注入 离子注入 离子 浸没
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘杰
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子体浸没离子注入 离子注入 等离子体 离子 薄膜封装
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
罗威
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：离子注入 等离子体 等离子体浸没离子注入 离子 掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王文东
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：等离子喷涂 SUB 陶瓷涂层 等离子体喷涂 大气等离子喷涂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘邦武
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SUB 等离子喷涂 陶瓷涂层 等离子体喷涂 等离子体浸没离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓波
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：掺杂 扩散 离子注入 离子 等离子体浸没离子注入
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS ALD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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