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杨兆年

作品数：10 被引量：10H指数：2
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共 8 条 记 录，以下是 1-8
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱嘉
供职机构：西安电子科技大学微电子学院
研究主题：CMOS工艺 检测电路 ESD 哈希 哈夫曼编码
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡惠民
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卓青青
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量效应 总剂量 MOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
费晨曦
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 栅介质材料 原子层淀积 高K栅介质 电介质膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李立
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SIGE 存储电荷 SIGE_HBT 异质结双极晶体管 PSPICE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭里
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI PD_SOI NMOS器件 NMOS 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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