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刘燕飞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 6个电子电信
  • 1个机械工程
  • 1个理学

主题

  • 6个淀积
  • 6个汽相外延
  • 6个汽相外延生长
  • 6个化学汽相淀积
  • 6个GAALAS...
  • 6个HBT材料
  • 6个MOCVD生...
  • 4个砷化镓
  • 4个汽相沉积
  • 4个化学汽相沉积
  • 2个低压
  • 2个对激发
  • 2个异质结
  • 2个砷化铟
  • 2个深能级
  • 2个碳掺杂
  • 2个能级
  • 2个外延层
  • 2个磷化铟
  • 2个近红外

机构

  • 6个中国电子科技...
  • 3个河北半导体研...
  • 2个机电部
  • 1个北京大学
  • 1个西安交通大学
  • 1个电子工业部
  • 1个中电集团
  • 1个专用集成电路...

资助

  • 2个国家自然科学...
  • 1个军事电子预研...

传媒

  • 4个第四届全国固...
  • 3个Journa...
  • 2个半导体情报
  • 2个光学学报
  • 2个稀有金属
  • 1个光电子．激光
  • 1个红外与激光工...
  • 1个半导体技术
  • 1个科学通报
  • 1个发光学报
  • 1个固体电子学研...
  • 1个半导体光电
  • 1个微纳电子技术
  • 1个第九届全国L...
  • 1个第十届全国M...
  • 1个第十一届全国...
  • 1个第十一届全国...
  • 1个二〇〇六年全...
  • 1个中国有色金属...
  • 1个第十二届全国...

地区

  • 6个河北省
共 6 条 记 录，以下是 1-6
关兴国
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：外延层 MOCVD生长 砷化镓 氮化物半导体 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李景
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD生长 LP-MOCVD生长 INGAAS/GAAS量子阱 HBT材料 GAALAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章其麟
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：氮化镓 砷化镓 外延层 光致发光 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任永一
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：材料力学性质 MOCVD生长 HBT材料 GAALAS/GAAS 化学汽相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘英斌
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD MOCVD生长 半导体材料 长波 量子阱红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁风波
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MOCVD生长 HBT材料 GAALAS/GAAS 化学汽相淀积 汽相外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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