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罗小蓉

作品数：295 被引量：87H指数：6
供职机构：电子科技大学更多>>
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领域

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机构

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资助

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传媒

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地区

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  • 2个重庆市
  • 1个湖北省
  • 1个陕西省
  • 1个广西
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魏杰
供职机构：电子科技大学
研究主题：关断损耗 导通压降 HEMT器件 漂移区 导通
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张波
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体功率器件 导通压降 导电类型 电能传输系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙涛
供职机构：电子科技大学
研究主题：LIGBT 阳极 续流二极管 导通压降 导通
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李肇基
供职机构：电子科技大学
研究主题：击穿电压 功率器件 SOI 导电类型 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周坤
供职机构：电子科技大学
研究主题：功率半导体器件 半导体技术 槽栅 半导体功率器件 MOSFET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邓高强
供职机构：电子科技大学
研究主题：LIGBT 关断损耗 集电区 阳极 IGBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨超
供职机构：电子科技大学
研究主题：HEMT器件 全三维 增强型 创新创业 蒙特卡罗
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张成
供职机构：电子科技大学
研究主题：二维电子气 GAN_HEMT器件 续流二极管 双异质结 沟道
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴俊峰
供职机构：电子科技大学
研究主题：HEMT器件 槽栅 比导通电阻 电场 增强型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王元刚
供职机构：电子科技大学
研究主题：漂移 半导体器件 导电类型 SOI 槽栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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