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董志远

作品数：58 被引量：81H指数：6
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺电气工程更多>>

合作作者

领域

  • 47个电子电信
  • 43个理学
  • 23个金属学及工艺
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  • 15个一般工业技术
  • 13个机械工程
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  • 2个农业科学
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  • 1个哲学宗教
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  • 1个冶金工程
  • 1个动力工程及工...

主题

  • 39个单晶
  • 33个磷化铟
  • 32个衬底
  • 31个半导体
  • 29个掺杂
  • 27个晶体
  • 25个单晶生长
  • 25个退火
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  • 20个晶格
  • 18个英寸
  • 18个砷化铟
  • 17个氮化镓
  • 17个电学

机构

  • 46个中国科学院
  • 4个四川大学
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  • 2个中国科学院大...
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  • 1个西安交通大学
  • 1个中国科学技术...
  • 1个河北科技大学
  • 1个国家工程研究...
  • 1个信息产业部
  • 1个中国电子科技...
  • 1个中国有色金属...

资助

  • 38个国家自然科学...
  • 14个国家高技术研...
  • 12个国家重点基础...
  • 10个中国科学院知...
  • 9个中国科学院知...
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传媒

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地区

  • 46个北京市
  • 3个四川省
共 49 条 记 录，以下是 1-10
赵有文
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 单晶生长 INP 砷化铟 ZNO单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
段满龙
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 磷化铟 衬底 INAS 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨俊
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 砷化铟 磷化铟 INP 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏学成
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：单晶生长 ZNO单晶 氮化镓 大尺寸 ZNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙文荣
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：磷化铟 INP 半绝缘 INAS GASB
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘京明
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化镓 砷化铟 单晶片 GASB 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨凤云
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：锑化镓 GASB 衬底 INAS INP单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王应利
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 砷化铟 INAS INP 氧化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化铟 锑化镓 单晶片 衬底 砷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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