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彭龙新

作品数：51 被引量：97H指数：6
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合作作者

领域

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地区

  • 55个江苏省
共 55 条 记 录，以下是 1-10
李建平
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 GAN 微波单片集成电路 单片低噪声放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏同立
供职机构：东南大学集成电路学院
研究主题：半导体器件 硅 双极晶体管 集成电路 电流增益
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 MMIC 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 射频开关 HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈堂胜
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：高电子迁移率晶体管 氮化镓 砷化镓 GAN ALGAN/GAN_HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐波
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：微波单片集成电路 GAAS MMIC GAN 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李光超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 微波单片集成电路 X波段 PIN限幅器 单片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘石生
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：数控移相器 MMIC 幅相控制 GAAS_PHEMT 单片电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
牛超
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：单片低噪声放大器 超宽带 分布式结构 微波单片集成电路 赝配高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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