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尹玉华

作品数：7 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

领域

  • 11个电子电信
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主题

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  • 7个抛光
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  • 6个亚表面损伤层
  • 6个切片
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机构

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资助

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传媒

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  • 2个科学通报
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  • 2个科技导报

地区

  • 12个北京市
共 12 条 记 录，以下是 1-10
郑红军
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 GAAS 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
卜俊鹏
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 抛光晶片 抛光 亚表面损伤层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
霍自强
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 反应管 厚膜 蓝宝石 石英
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李丽娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 反应管 石英 工作温度 氧化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白玉柯
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：化学腐蚀 均匀性 GAAS 晶片 磨片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙虹
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子级联激光器 SI-GAAS单晶 热稳定性 电学补偿 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱蓉辉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：抛光晶片 微缺陷 晶片 GAAS 抛光
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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