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郝西萍

作品数：17 被引量：22H指数：3
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
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相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>

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陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈效建
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 PHEMT 功率放大器 GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋幼泉
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS SIC_MESFET 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈继义
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC 可变衰减器 相移
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘军
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 单片低噪声放大器 HEMT KU波段 功率PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔宝文
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT 单片低噪声放大器 KU波段 MMIC HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军贤
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：PHEMT HEMT 单片低噪声放大器 低噪声放大器 KA波段
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴振海
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：在片测试 砷化镓 成品率 测试技术 GAAS_MMIC
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林金庭
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS MMIC 砷化镓 单片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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