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邓建国

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

领域

  • 13个电子电信
  • 8个电气工程
  • 1个金属学及工艺
  • 1个机械工程
  • 1个自动化与计算...
  • 1个航空宇航科学...
  • 1个一般工业技术

主题

  • 9个晶体管
  • 7个半导体
  • 6个增益
  • 6个微波功率
  • 6个功率增益
  • 6个沟道
  • 6个沟道长度
  • 6个CW
  • 6个LDMOSF...
  • 6个场效应
  • 6个场效应晶体管
  • 5个VDMOSF...
  • 4个电阻
  • 4个栅结构
  • 4个射频功率
  • 4个屏蔽
  • 4个屏蔽层
  • 3个导通
  • 3个双极晶体管
  • 3个欧姆接触

机构

  • 11个河北半导体研...
  • 3个中国电子科技...
  • 2个兰州大学
  • 1个吉林大学
  • 1个兰州交通大学
  • 1个中国电子科技...
  • 1个机电部

资助

  • 2个国家高技术研...
  • 2个国家重点基础...
  • 1个甘肃省自然科...
  • 1个国防科技技术...
  • 1个国防科技重点...
  • 1个“八五”国家...
  • 1个“九五”国家...
  • 1个教育部高等学...

传媒

  • 11个半导体技术
  • 6个第三届中国国...
  • 5个Journa...
  • 3个微纳电子技术
  • 1个光电子．激光
  • 1个甘肃教育学院...
  • 1个半导体情报
  • 1个东南大学学报...
  • 1个微电子学与计...
  • 1个电力电子技术
  • 1个兰州大学学报...
  • 1个发光学报
  • 1个应用科学学报
  • 1个半导体杂志
  • 1个电子工业专用...
  • 1个电子器件
  • 1个功能材料与器...
  • 1个固体电子学研...
  • 1个微电子学
  • 1个半导体光电

地区

  • 12个河北省
  • 1个甘肃省
共 13 条 记 录，以下是 1-10
刘英坤
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：4H-碳化硅 4H-SIC TI PT N型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张颖秋
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：大功率晶体管 硅 功率晶体管 脉冲放大器 脉冲
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郎秀兰
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：MO LDMOSFET GATE FETS FET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李思渊
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所
研究主题：静电感应器件 静电感应晶体管 静电感应晶闸管 SITH SIT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
秦龙
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：TI PT N型 NI 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴坚
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：LDMOSFET CW 沟道长度 功率增益 微波功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨勇
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：TI PT N型 NI 比接触电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李飞
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：VDMOSFET 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 屏蔽层 屏蔽 射频功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡顺欣
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：硅 亚微米 P波段 屏蔽 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙艳玲
供职机构：河北半导体研究所
研究主题：VDMOSFET 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 屏蔽层 屏蔽 射频功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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