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江炳尧

作品数：33 被引量：32H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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地区

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共 49 条 记 录，以下是 1-10
柳襄怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子束增强沉积 离子束辅助沉积 离子注入 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任琮欣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 超导薄膜 YBCO YBA 钼栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
冯涛
供职机构：华东师范大学
研究主题：碳纳米管 场发射 离子束辅助沉积 场发射显示器 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邹世昌
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 离子束 硅 SOI 巨磁电阻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋军
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 性能研究 碳纳米管 钼栅极 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨根庆
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子注入 小卫星 单粒子瞬态脉冲 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周祖尧
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 硅 离子束 离子束增强沉积 P
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林梓鑫
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 SOI 低剂量 硅 SIMOX
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵俊
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 金刚石薄膜 二氧化硅 光致发光 非晶金刚石薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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