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孙娟

作品数:13 被引量:6H指数:2
供职机构:南京电子器件研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

领域

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主题

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  • 8个砷化镓
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  • 8个掺杂
  • 8个GAAS
  • 7个分子束外延
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  • 3个氮化
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  • 3个应变超晶格

机构

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资助

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传媒

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  • 1个低温物理学报
  • 1个江苏高教

地区

  • 11个江苏省
  • 1个安徽省
12 条 记 录,以下是 1-10
高翔
供职机构:南京大学物理学院
研究主题:分子束外延 INGAAS/GAAS GAAS 单分子力谱 原子力显微镜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张允强
供职机构:南京大学
研究主题:分子束外延 XGA 异质结 GAAS INGAAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢自力
供职机构:南京大学
研究主题:蓝宝石 GAN 氢化物气相外延 生长温度 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴鹏
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:S波段 SIC SIC_MESFET MMIC 微波功率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蒋树声
供职机构:南京大学
研究主题:晶体 X射线 LA 晶体缺陷 GE/SI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱顺才
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:半绝缘 单晶 LEC 热稳定性 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邱凯
供职机构:中国科学院固体物理研究所
研究主题:分子束外延 二维电子气 MBE生长 MBE 调制掺杂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈培棣
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:声表面波 叉指换能器 压电材料 干法刻蚀工艺 反应离子刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
尤民
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:声表面波器件 射频识别系统 RFID Γ线 管材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张允
供职机构:南京电子器件研究所
研究主题:INGAAS/GAAS 半导体材料 微波器件 微波
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
共2页<12>
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