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顾占彪

作品数：35 被引量：19H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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共 30 条 记 录，以下是 1-10
孙聂枫
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 晶体生长 INP 磷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许春良
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 组件 射频电路 传输线 封装结构
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘志军
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片 数控衰减器 宽带 低噪声放大器 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邵会民
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：坩埚 磷化铟 晶体生长 半导体晶体 籽晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谭超
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：输出端 MMIC 单片集成电路 飞跨电容 功能电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张之梁
供职机构：南京航空航天大学
研究主题：变换器 PFC变换器 电能变换 VIENNA整流器 磁芯
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晓岚
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 半导体晶体 晶体生长 磷
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王阳
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：磷化铟 坩埚 VGF 晶体生长 半导体晶体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡道民
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：单片集成 功率附加效率 功率放大器 偏置电路 量子阱红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙长友
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：射频 插损 隔离度 宽带 传输线
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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