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赵洪辰

作品数：23 被引量：54H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

领域

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主题

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地区

  • 18个北京市
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共 19 条 记 录，以下是 1-10
韩郑生
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 电路 SRAM 建模方法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
海潮和
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 绝缘体上硅 PDSOI 集成电路 电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
钱鹤
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：SOI 刻蚀 自对准硅化物 淀积 集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于广华
供职机构：北京科技大学
研究主题：各向异性磁电阻 多层膜 垂直磁各向异性 磁性薄膜 自旋阀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱逢吾
供职机构：北京科技大学
研究主题：各向异性磁电阻 多层膜 磁控溅射 自旋阀 磁鼓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
连军
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：全耗尽 SOI SOI_CMOS器件 CMOS 互补金属氧化物半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
司红
供职机构：国家钢铁材料测试中心
研究主题：柴油机曲轴 应力腐蚀 原位统计分布分析 断裂失效分析 轴瓦
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
马纪东
供职机构：北京科技大学材料科学与工程学院
研究主题：各向异性磁电阻 TA FE NI X
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏洋
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：原子层沉积 等离子体浸没离子注入 刻蚀 VDMOS ALD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
龙世兵
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：存储器 电极 浮栅 非挥发性 电子束直写
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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