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赵丽霞

作品数:94 被引量:47H指数:5
供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
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领域

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机构

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传媒

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地区

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  • 1个重庆市
36 条 记 录,以下是 1-10
陈秉克
供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题:外延片 外延层 衬底 硅外延 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
袁肇耿
供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题:外延片 硅外延片 硅外延 外延层 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴会旺
供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题:碳化硅 外延片 硅外延 硅外延片 电阻率
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛宏伟
供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司
研究主题:外延片 硅外延片 电阻率 衬底 外延层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张鹤鸣
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宣荣喜
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
胡辉勇
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
戴显英
供职机构:西安电子科技大学微电子学院
研究主题:应变SI 晶圆 SIGE 绝缘层 BICMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
舒斌
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:BICMOS 应变SI 双极器件 光刻 多晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋建军
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:应变SI BICMOS 双极器件 多晶 光刻
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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