2024年11月23日
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许振嘉
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H指数:5
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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合作作者
陈维德
中国科技大学
徐彭寿
合肥国家同步辐射实验室
宋淑芳
北京交通大学理学院光电子技术研...
丁孙安
中国科学院半导体研究所
陈长勇
中国科学院半导体研究所
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陈维德
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光致发光 GAN 掺铒 GAN薄膜 铒
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徐彭寿
供职机构:中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室
研究主题:光电子能谱 电子结构 GAAS 砷化镓 光电子能谱研究
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宋淑芳
供职机构:北京交通大学
研究主题:纳米ZNO薄膜 GAN薄膜 光致发光 GAN 掺铒
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丁孙安
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:硅化物 PT 硅 欧姆接触 铂
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朱警生
供职机构:中国科学技术大学
研究主题:LA 超导体 MNO 多孔硅 CA
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陈长勇
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:掺铒 A-SI 微结构 光致发光 铒
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何杰
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:光致发光 氧化硅 SIO 反应机理 金属薄膜
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赵特秀
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系
研究主题:电阻率 PD 硅化物 多孔硅 A-SI:H
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刘先明
供职机构:中国科学技术大学
研究主题:光电子能谱 半导体 光电子能谱研究 磷化铟 纳米
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麻茂生
供职机构:中国科学技术大学
研究主题:光电子能谱 光电子能谱研究 碱金属 INP CS
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