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6 条 记 录,以下是 1-6
关兴国
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:外延层 MOCVD生长 砷化镓 氮化物半导体 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘燕飞
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOCVD生长 HBT材料 GAALAS/GAAS 化学汽相淀积 汽相外延生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘英斌
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOCVD MOCVD生长 半导体材料 长波 量子阱红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李景
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:MOCVD生长 LP-MOCVD生长 INGAAS/GAAS量子阱 HBT材料 GAALAS/GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
章其麟
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:氮化镓 砷化镓 外延层 光致发光 MOCVD生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任永一
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所
研究主题:材料力学性质 MOCVD生长 HBT材料 GAALAS/GAAS 化学汽相淀积
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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