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胡媛

作品数:5 被引量:3H指数:1
供职机构:安徽大学电子信息工程学院更多>>
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相关领域:电子电信理学更多>>

领域

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陈军宁
供职机构:安徽大学
研究主题:反相器 灵敏放大器 电路 SRAM 裕度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柯导明
供职机构:安徽大学
研究主题:MOSFET 高温 阈值电压 LDMOS CMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
代月花
供职机构:安徽大学
研究主题:第一性原理 亚阈值 反相器 MOSFET 量子效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙家讹
供职机构:安徽大学电子信息工程学院
研究主题:MOSFET 量子效应 解析模型 纳米MOSFET 阈值电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘琦
供职机构:中国科学院微电子研究所
研究主题:存储器 电极 电路 电阻 非挥发性
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘宁
供职机构:安徽大学
研究主题:介质 财务管理 AH 信息技术 数据共享
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李德君
供职机构:安徽大学
研究主题:高K材料 NVM 俘获 非挥发性存储器 隧穿
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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