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罗杰馨

作品数：112 被引量：14H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
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地区

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共 21 条 记 录，以下是 1-10
陈静
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 阈值电压 SOI 存储器单元
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王曦
供职机构：清华大学
研究主题：衬底 SOI 硅 离子注入 绝缘体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何伟伟
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 晶体管 驱动电流 存储器单元 浮体效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柴展
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 阈值电压 驱动电流 SOI 本征
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
伍青青
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 浮体效应 SOI 芯片面积 欧姆接触
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吕凯
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
黄建强
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：阈值电压 驱动电流 本征 栅氧化层 P型
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
余涛
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：晶体管 截止频率 高K栅介质 电学性质 MOSFET器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨燕
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：场效应晶体管 MOSFET 版图设计 功率增益 驱动电流
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
薛忠营
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：衬底 石墨烯 绝缘体 弛豫 键合
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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