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王志宽

作品数：14 被引量：28H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
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共 36 条 记 录，以下是 1-10
陆妩
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：剂量率 剂量率效应 电离辐射 退火 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
席善斌
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：NPN双极晶体管 剂量率效应 栅控 偏置条件 辐照
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周东
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：辐照 暗电流 静电试验 CMOS图像传感器 电荷耦合器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任迪远
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：电离辐射 剂量率 退火 剂量率效应 运算放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨永晖
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所
研究主题：深槽 半导体 介质层 多晶硅栅 功率VDMOS器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙静
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：辐照 总剂量效应 总剂量 剂量计 电荷分离
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑玉展
供职机构：北京空间飞行器总体设计部
研究主题：单粒子 剂量率 NPN双极晶体管 单粒子翻转 偏置
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王义元
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：剂量率 偏置 电离辐射 偏置条件 剂量率效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
文林
供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所
研究主题：辐照 CMOS图像传感器 电荷耦合器件 质子辐照 静电试验
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
费武雄
供职机构：信息产业部电子第五研究所
研究主题：偏置 偏置条件 NPN双极晶体管 低剂量率 模数转换器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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