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张有涛

作品数：60 被引量：38H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金毫米波国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

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地区

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  • 1个北京市
共 48 条 记 录，以下是 1-10
李晓鹏
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：INP 磷化铟 GS DHBT 电流舵
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈新宇
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 开关 GAAS_MMIC 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张敏
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP 磷化铟 BIT GS DHBT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
夏冠群
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MESFET 离子注入 红外探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李拂晓
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所
研究主题：砷化镓 GAAS 单片 开关 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程伟
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 磷化铟 HBT工艺 GHZ
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨磊
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：低噪声放大器 微波单片集成电路 砷化镓 高集成 芯片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨乃彬
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：砷化镓 GAAS MMIC HFET GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高建峰
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：GAAS 砷化镓 PHEMT INP基 MESFET
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陆海燕
供职机构：南京电子器件研究所
研究主题：INP DHBT 太赫兹 GHZ 异质结双极型晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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