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魏茂林

作品数:4 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室更多>>
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李爱珍
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 GAAS MBE 半导体 MBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
研究主题:氮化镓 双极晶体管 异质结双极晶体管 GAN材料 MBE生长
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李爱珍
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:量子级联激光器 氮化镓 氢化物气相外延 激光器 光电探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑燕兰
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 MBE生长 锑化物 INGAASSB 激光器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李伟
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:芯片 折射率 弹性梁 电磁波 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李存才
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:气态源分子束外延 量子级联激光器 分子束外延 含磷 施主掺杂
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孙一军
供职机构:中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
研究主题:MOCVD 二氧化钛 纳米粉末 TIO 混合电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
齐鸣
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:氮化镓 氢化物气相外延 阳极氧化铝 磷化铟 厚膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任尧成
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:GSMBE 半导体材料 INALAS/INGAAS GSMBE生长 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵智彪
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:GAN 氮化镓 衬底温度 MBE生长 位错密度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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