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邓旭光

作品数：44 被引量：39H指数：4
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领域

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机构

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传媒

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地区

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  • 1个山东省
  • 1个天津市
共 36 条 记 录，以下是 1-10
张宝顺
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 电极 HEMT器件 衬底 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范亚明
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：MOCVD GAN 衬底 CVD设备 工件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
于国浩
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 增强型 半导体表面
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
邢艳辉
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 金属有机物化学气相沉积 氮化镓 MOCVD生长 P型GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩军
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD 金属有机物化学气相沉积 半导体激光器 金属有机物化学气相淀积 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡勇
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 半导体表面 介质层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
宋亮
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 氮化物 增强型 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
付凯
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：增强型 二维电子气 HEMT器件 GAN HEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张志利
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：二维电子气 HEMT器件 HEMT 增强型 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈翔
供职机构：北京工业大学
研究主题：MOCVD ALN 高电子迁移率晶体管 SI衬底 电学性质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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