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董立军

作品数：55 被引量：40H指数：4
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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共 49 条 记 录，以下是 1-10
陈大鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 刻蚀 沟道 焦平面阵列 MEMS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
叶甜春
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：X射线光刻 沟道 半导体器件 版图 衬底
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
欧毅
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氮化硅薄膜 刻蚀 MEMS 牺牲层 微机电系统
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
殷华湘
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：半导体器件 沟道 栅极 衬底 鳍片
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵超
供职机构：清华大学
研究主题：半导体器件 衬底 栅极 沟道 金属硅化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王玉光
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：氧化物半导体 非晶态 沟道 衬底 X射线探测器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
景玉鹏
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅片 气敏传感器 光刻胶 刻蚀 临界态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
石莎莉
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：硅衬底 控制部件 氮化硅薄膜 牺牲层 刻蚀
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩敬东
供职机构：中国科学院
研究主题：X射线光刻 LPCVD 氮化硅 掩模 氮化硅膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨清华
供职机构：中国科学院微电子研究所
研究主题：掩模 硅衬底 微电子 MEMS 浮栅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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