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王建霞

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

领域

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主题

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  • 14个衬底
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  • 12个蓝宝石
  • 12个蓝宝石衬底
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  • 11个GAN薄膜
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机构

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传媒

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地区

  • 16个北京市
共 16 条 记 录，以下是 1-10
杨少延
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：衬底 生长温度 非极性 氮化镓 协变
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王占国
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏鸿源
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化镓 锌源 氮化铝 铟
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
赵桂娟
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化镓基发光二极管 氮化镓 多量子阱 镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
焦春美
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 衬底 锌源 生长温度 氧化锌薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘祥林
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓 GAN 氮化物 MOVPE 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘长波
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：镓 铟 氮化镓薄膜 氮化镓 氮化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
桑玲
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 镓 蓝宝石衬底 锌源 GAN薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李辉杰
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：非极性 氮化铝 氢化物气相外延 氮化镓 生长温度
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张恒
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：氮化镓基发光二极管 氮化镓 加热温度 蓝宝石衬底 蓝宝石
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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