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王保强

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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共 8 条 记 录，以下是 1-8
曾一平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱战平
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MM-HEMT材料 分子束外延生长 沟道 MBE生长 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
崔利杰
供职机构：中国科学院
研究主题：MM-HEMT材料 MBE生长 GAAS 材料性能 MBE
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林兰英
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：半导体材料 氮化镓 分子束外延 砷化镓 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李灵霄
供职机构：中国科学院
研究主题：GSMBE GSMBE生长 MBE 磷化铟 分子束外延
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓昕
供职机构：中国科学院
研究主题：RTD 半导体材料 Δ掺杂 分子束外延 共振隧穿二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
朱占平
供职机构：中国科学院
研究主题：RTD 半导体材料 Δ掺杂 分子束外延 共振隧穿二极管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张昉昉
供职机构：中国科学院半导体研究所
研究主题：MBE生长 MBE 分子束外延生长 掺杂 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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