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卓青青

作品数：16 被引量：21H指数：3
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共 16 条 记 录，以下是 1-10
刘红侠
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：单粒子 总剂量 抗辐照 电路 栅氧化层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
范小娇
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：原子层淀积 金属氧化物半导体场效应晶体管 电介质膜 应变SI 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郝跃
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡惠民
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：SOI NMOS器件 总剂量辐照效应 碰撞电离 参考源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪星
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 原子层淀积 高K栅介质 金属栅 栅介质材料
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
彭里
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI PD_SOI NMOS器件 NMOS 总剂量辐照效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
费晨曦
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：金属氧化物半导体场效应晶体管 栅介质材料 原子层淀积 高K栅介质 电介质膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
辛艳辉
供职机构：华北水利水电大学
研究主题：短沟道效应 双栅 背栅 应变SI 栅介质
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨兆年
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：CMOS工艺 静电放电 箝位电路 碰撞电离 ESD
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王志
供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
研究主题：SOI NMOS器件 单粒子效应 单粒子 总剂量效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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