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黄懋容

作品数:10 被引量:5H指数:2
供职机构:中国科学院高能物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学电气工程更多>>

领域

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地区

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  • 1个湖南省
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  • 1个福建省
  • 1个河北省
13 条 记 录,以下是 1-10
杨巨华
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:正电子湮没 半导体 嵌段共聚物 掺杂 INP
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王蕴玉
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:正电子湮没 NA 半导体 亮氨酸 正电子
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
顾华
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:正电子湮没 氧化锌陶瓷 晶体 掺杂 KCL
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
何永枢
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:正电子湮没 半导体 马氏体转变 铜基形状记忆合金 硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郭应焕
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:正电子湮没 时间反演 正电子 纳米晶 软磁合金
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
许承晃
供职机构:华侨大学材料科学与工程学院材料物理化学研究所
研究主题:色心 OH NACL 色心激光 F
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
韩玉杰
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:掺杂 INP 半导体 磷化铟 正电子湮没
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
林成天
供职机构:中国科学院物理研究所
研究主题:GGG 钇 激光晶体 可调谐激光晶体 提拉法
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张仁武
供职机构:中国科学院高能物理研究所
研究主题:正电子湮没 电子结构 正电子 亚甲兰 光敏剂
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘彩池
供职机构:河北工业大学
研究主题:GAN 大直径 硅 微缺陷 SI-GAAS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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