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张连

作品数:58 被引量:9H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺矿业工程更多>>

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张韵
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:衬底 氮化物 紫外发光二极管 氮化镓 单晶
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
王军喜
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 氮化物 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李晋闽
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化镓 发光二极管 衬底 多量子阱 GAN
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
程哲
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化物 单晶 HEMT器件 势垒层 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
孙莉莉
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:紫外发光二极管 出光效率 杀菌消毒 氮化物 成核
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
曾一平
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:分子束外延 衬底 碳化硅 氮化镓 缓冲层
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨帅
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:氮化物 成核 叉指电极 单晶 谐振器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
魏学成
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:单晶生长 ZNO单晶 氮化镓 大尺寸 ZNO
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫建昌
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:紫外发光二极管 发光二极管 ALGAN 电子阻挡层 氮化物
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
刘喆
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:GAN 发光二极管 氮化镓 衬底 多量子阱
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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