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周淼

作品数：10 被引量：11H指数：2
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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  • 1个重庆市
共 19 条 记 录，以下是 1-10
洪根深
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：抗辐射 反熔丝 总剂量 单粒子 SOI
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
肖志强
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 互联 抗辐射 总剂量 LDMOS
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高向东
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 抗辐射 总剂量 反熔丝
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑若成
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 淀积 编程 总剂量 抗辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
郑良晨
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：反熔丝 半导体工艺 淀积 光刻 极板
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐静
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 反熔丝 抗辐射 CMOS工艺 总剂量辐射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈正才
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 总剂量辐射 材料制备技术 PD_SOI 半导体
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
徐大为
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所
研究主题：SOI 抗辐射 H型 LDMOS器件 KINK效应
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周锌
供职机构：电子科技大学
研究主题：半导体功率器件 击穿电压 横向高压器件 导电类型 功率半导体器件
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
乔明
供职机构：电子科技大学
研究主题：导电类型 半导体功率器件 功率半导体器件 比导通电阻 击穿电压
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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