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陈长清

作品数：4 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

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地区

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杨立新
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：碳化硅 PECVD 硅 Β-SIC 晶态
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈学良
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：掺杂 双极型 硅 SI 集成电感
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严金龙
供职机构：中国科学院
研究主题：硅 Β-SIC 埋层 碳化硅
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
杨易
供职机构：浙江大学
研究主题：单片集成 解释性 INP 波分复用 学生用户
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
任琮欣
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束辅助沉积 超导薄膜 YBCO YBA 钼栅极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
柳襄怀
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子束 离子束增强沉积 离子束辅助沉积 离子注入 电子发射
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
严金龙
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：SI 反应离子刻蚀 ISOLATION 硅 SILICON
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
沈德芳
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所
研究主题：磁光 磁光记录 X 磁光薄膜 合金薄膜
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
陈国明
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：反应离子束刻蚀 测量电路 航天 勘测 金属电极
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
周祖尧
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所
研究主题：离子注入 硅 离子束 离子束增强沉积 P
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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