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陈凤霞

作品数：9 被引量：32H指数：4
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
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地区

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共 16 条 记 录，以下是 1-10
默立冬
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：双极型晶体管 功率附加效率 偏置电路 双极型 PHEMT
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
吴洪江
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 砷化镓 MMIC 宽带 单片微波集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
闫伟
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：热阻 LED 阳极 金属电极 脉冲源
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
谢媛媛
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：微波单片集成电路 MMIC 宽带 数字衰减器 数字移相器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
高学邦
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：MMIC 砷化镓 微波单片集成电路 毫米波 功率放大器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
李远鹏
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 GAAS 多功能芯片 微波单片集成电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
蔡文胜
供职机构：中国人民解放军空军
研究主题：HBT VCO 负阻 虚地 单片电路
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
汪江涛
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：偏置电路 双极型晶体管 功率附加效率 双极型 高电子迁移率晶体管
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
白元亮
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 GAAS_PHEMT 辐照 砷化镓
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
张晓鹏
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所
研究主题：PHEMT 赝配高电子迁移率晶体管 耗尽型 单片 数控衰减器
发表作品相关人物供职机构所获资助研究领域
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